立方氮化硼(cubic boron nitride, CBN)晶体，是一种人工合成的III-V族半导体材料，目前，人们还没有发现天然存在的CBN晶体。研究表明，CBN的禁带宽度(~6.4eV)是 III-V族化合物和IV族元素半导体中最大的，硬度和热导率仅次于金刚石。作为电子材料和光电子材料，CBN具有广阔的应用前景，所以在材料的制备、物 理性质的研究及应用等方面受到人们的极大关注。但由于生长条件苛刻，很难获得高质量、大尺寸的CBN单晶或薄膜材料，这极大地限制了相关的研究进展。 本论文以一种高温高压条件下合成的具有颜色分区的片状CBN单晶(商品型号：210型)为研究对象，该样品外露的8个表面均为{111}晶面，其中上下两 个大面相互平行，平整光滑，且易于解理加工，很适合作为电子器件和光电器件的衬底材料。因此有必要对这种CBN晶体的物理和化学性质进行深入的研究。 本文主要采用化学腐蚀、形貌观测、X射线光电子谱(X-ray photoelectronspectroscopy, XPS)、拉曼(Raman)光谱等手段，对210型CBN单晶样品的表面极性、杂质和缺陷等进行了研究，得到一些有意义的研究结果。
1.主要从CBN合成及其半导体特性研究等方面介绍了相关的研究进展和研究所面临的困难，并概括了本论文的主要研究工作。
2.主要介绍了目前已知CBN基本的物理和化学性质，制备工艺以及一些主要的应用研究。
3.主要研究了210型CBN晶体的化学腐蚀、表面形貌、I-V特性等与表面极性的关系，并找到了一种方便、快捷、非破坏性的判断210型CBN单晶表 面极性的方法——显微镜观察法。 本文使用的210型CBN晶体是具有明显颜色分区的片状样品，所有外露的晶面都是{111}面。其中上下两个大面相互平行，六个小侧面两两相对且相互平 行。在显微镜下观察CBN的六边形大面，会发现三个三角形琥珀色区域和三个三角形透明区域相间且对称分布，六个三角形有共同的顶点，位于样品的中央。 研究结果表明：熔融的NaOH能够腐蚀CBN晶体，{111}N面的腐蚀速度快，腐蚀坑为三角形或六边形，且腐蚀坑尺寸较大。而{111}B面的腐蚀速度 慢，腐蚀坑均为三角形，腐蚀坑较小，且特别密集。进一步观察发现：与透明区连接的侧面为{111}B面，与琥珀色区域连接的侧面为{111}N面；与侧面 为{111}N面成钝角的大面为{111}B面，与侧面为{111}N面成锐角的大面是{111}N面。于是，只需显微镜观察就能确定这种颜色分区的片状 CBN晶体表面极性，而不再需要化学腐蚀。 将CBN晶体沿{110}面解理并在熔融的NaOH中腐蚀后发现：{110}面的腐蚀形貌有两种：一种是没有出现腐蚀坑，并且表面光滑平整。因为 {110}面腐蚀速度相同，不存在各向异性，因此观察不到腐蚀坑；另一种是在{110}面观察到条状的腐蚀坑。 210型CBN共面I-V特性结果表明： N面的表面漏电流明显比B面的表面漏电流大。
4.主要通过XPS谱分析了CBN晶体中的杂质、缺陷及其化学态。结果表明：CBN晶体中含有C、O、Si杂质。Si含量极少，可能来自于hBN原材 料。Ar离子溅射后，O杂质的含量急剧降低，表明O杂质源于CBN晶体的表面吸附和沾污。溅射后CBN中依然含有大量的C杂质(~6at%)，说明除了部 分的C杂质以表面吸附和沾污形式存在外，还有相当一部分的C杂质存在于CBN晶体内，这些C杂质最可能来自于CBN晶体生长室的石墨壁。通过峰型拟合和化 学态分析可知：C在CBN晶体中占据了氮的位置(CN)，成为受主杂质。Ar离子溅射前后，B和N的原子比均大于1，化学计量比的偏离说明在CBN晶体中 存在N空位(VN)，VN属于施主陷阱。VN-CN可形成施主-受主对，不仅影响CBN的电学特性，也影响CBN晶体的发光特性，使得CBN发光谱复杂 化。进一步研究可知，XPS谱也受CBN晶体表面极性的影响。溅射前，N面比B面的B:N比低；溅射后，B面的B:N比降低，而N面的B:N比升高。从溅 射前C1s谱的拟合结果可看出，N面可能存在C-N-B键，或者N面的缺陷较多；B面可能存在C-B-N键。
5.主要研究了210型CBN单晶的Raman光谱。结果表明：CBN晶体的Raman也表现出与B、N面极性相关的特点。对于(111)B面，只观察 到TO模(1053cm~(-1))和LO模(1305cm~(-1)53cm~(-1)处还观)；测而到对边于峰(结11构1)。N面从，等除离了子激 TO元模—和LO L O声模子，相在互作92用5c、m-1，955cm~(-1)，12局域模、富硼、wBN及无序引起的拉曼散射(disorder-activated Raman scattering，DARS)五个方面分析边峰的来源。{111} N面的缺陷多，因此，远离布里渊区中心的声子也可能发生散射，导致边峰的出现。925cm~(-1)处的峰可视为布里渊区K点的TO模式 TO(K)，955cm~(-1)附近的峰和Q点的TO声子能量接近TO(Q)。1253cm~(-1)处的拉曼峰和布里渊区特殊点的声子频率吻合的不 好，但可能是布里渊区非对称点的声子对CBN拉曼光谱综合贡献的结果。因此，认为1253cm~(-1)处的拉曼峰也是由DARS引起的。{111}B面 没有边峰，因为B面的缺陷少，没有DARS现象出现。
